KushhanashhovIA
Добро пожаловать в Викиверситет!
править
Здравствуйте, и добро пожаловать в русскоязычную часть Викиверситета! Надеемся, Вы получите большое удовольствие от участия в проекте.
Постарайтесь вначале статьи обозначить цель Вашей работы. Укажите, является ли создаваемая Вами страница учебным курсом или исследовательской работой.
Если Вы хотите написать энциклопедическую статью, то для этого есть Википедия, см. Чем не является Викиверситет.
Ознакомьтесь, пожалуйста, с вики-разметкой и принципами размещения и именования статей.
Чтобы получать актуальную информацию о событиях, происходящих в Викиверситете, Вы можете установить шаблон {{Актуально}}, например, в самое начало своей страницы обсуждения.
Иллюстрации загружайте на Викисклад, предназначенный для хранения медиафайлов вики-проектов. Прочитайте, пожалуйста, брошюру об основах иллюстрирования статей в Википедии и работе на Викискладе. Загруженные файлы на Викисклад можно будет одинаково легко использовать в Википедии и в Викиверситете.
По всем вопросам смело обращайтесь на портал сообщества или к одному из администраторов.
При этом, пожалуйста, подписывайтесь на страницах обсуждения (но не в статьях Викиверситета), используя четыре идущих подряд знака тильды (~~~~). И ещё раз — добро пожаловать! :-) вы можете убрать данный шаблон с вашей страницы обсуждения по собственному желанию
- Изучаемая дисциплина - Вычислительная техника и программирование
Занятие 2.09.2010
правитьШаблон:Задание №1
В СССР, и за рубежом уже созрели предпосылки для создания полупроводниковых и гибридных интегральных схем (ИС) — были промышленно освоены интегральные технологии производства как полупроводниковых приборов, так и толстопленочных и тонкопленочных керамических плат. Вопрос был лишь в том, кого первым озарит счастливая идея использовать их для изготовления много- элементных изделий — ИС. Первыми оказались Д. Килби из Texas Instruments (TI) и Р. Нойс из Fairchild Semiconductor ( США ). В 1958 году они изготовили макеты ИС: Килби на германии, Нойс — на кремнии.
В 1959 году группа молодых разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов (Карнов, Осокин, Пахомов) создала образцы германиевых ИС — логические элементы “2 ИЛИ-НЕ”. К 1963 году была разработана первая технологическая линейка для изготовления бескорпусных ИС “Р12- 2” . Три-четыре таких ИС помещали в металлический модуль и заливали компаундом. В середине 60-х годов их выпуск достиг 300 тыс., штук в год. В том же 1959 году работы по созданию германиевых ИС начались и в НИИ-35 (НИИ “Пульсар”, Москва). В начале 1961 года в НИИ-35 был организован отдел ИС, который возглавил Б.В. Малин. Однако германий для ИС оказался не перспективен. Это быстро поняли и в TI, и в НИИ-35 и перешли на планарный кремний. В августе 1961 г. группу молодых специалистов НИИ-35 (Б.В. Малин, В.А. Стружинский и А.Ф. Трутко) направили на стажировку в США для изучения планарной технологии.
Примерно тогда же появились и гибридные ИС (ГИС). В СССР разработкой гибридной технологии занималось СКБ-2 ГКЭТ в Ленинграде. Узаконивалось, что Центр микроэлектроники будет создан в Спутнике, и отныне проблема построения и развития отечественной микроэлектроники стала национальной задачей.
1. Были обозначены общие принципы построения ЦМ, в том числе: определен комплексный характер ЦМ с организацией всех основных необходимых НИИ и опытных заводов для разработки и производства ИС; 2. ЦМ придан статус головной организации по микроэлектронике в стране; 3. определено локальное размещение ЦМ в Спутнике, где ЦМ становился градообразующей системой.
Главные задачи ЦМ как головной организации в стране по микроэлектронике:
- обеспечение разработок и опытного производства ИС на мировом техническом уровне (догнать Америку) в интересах обороны страны и народного хозяйства;
- обеспечение перспективного научного задела;
- разработка принципов конструирования радиоэлектронной аппаратуры и ЭВМ на основе микроэлектроники, организация их производства, передача этого опыта соответствующим организациям страны;
- унификация ИС, условий их применения в аппаратуре на предприятиях страны;
- подготовка кадров, в том числе специалистов высшей квалификации
Хронология развития Зеленоградского Центра микроэлектроники: Сразу после выхода постановления команда А.И. Шокина приступила к созданию ЦМ (позже — Научный центр, НЦ). Постановление давало ЦМ право принимать на работу специалистов из любой точки СССР. Строительный задел в Спутнике позволял сразу выделять жилье сотрудникам. Это привлекало в ЦМ высококлассные кадры, и из них можно было лучших специалистов. Начали создаваться НИИ с опытными заводами:
1962 год — НИИ микроприборов (НИИМП) с заводом “Компонент” и НИИ точного машиностроения (НИИТМ) с “Элионом”;
1963 год — НИИ точной технологии (НИИП) с Ангстремом НИИ материаловедения (НИИМВ) с “Элмой”;
1964 год — НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) с “Микроном” и НИИ физических проблем (НИИФП);
1965 год — Московский институт электронной техники (МИЭТ) с опытным заводом “Протон” (1972);
1968 год — Центральное бюро по применению интегральных микросхем (ЦБПИМС);
1969 год — Специализированный вычислительный центр (СВ Ц) с заводом “Логика” (1975).
К началу 1971 года в НЦ работало 12,8 тыс., человек. В 1976 году на его базе было создано НПО “Научный центр” — 39 предприятий в разных городах страны с персоналом численностью в общей сложности около 80 тыс., человек.
Первые успехи: Радиоприемник “Микро” (рис.3), выполненный по тонкопленочной технологии, стал первым в стране серийным изделием микроэлектроники. Он был разработан во второй половине 1963 года в НИИМП. А в 1964 г. его производство освоил выпустив около 80 тыс. штук, после чего передал заводу МРП в Минске. До середины семидесятых годов этот микроприемник можно было купить в магазинах СССР и Франции.
В 1964 году НИИП приступил к созданию серии толстопленочных ГИС “Тропа” (главный конструктор (ГК) А.К. Катман), а затем и тонкопленочных ГИС “Посол”. Первый директор НИИП В.С. Сергеев вспоминает: “Никаких технических материалов и литературы по этому направлению не было, мы имели только фотографию микросхем, выпускаемых фирмой IBM. Особенно в большом секрете за рубежом держалась технология изготовления резистивных, проводниковых и изоляционных паст. Всю работу мы начали с нуля: разработку конструкции, материалов, технологии и оборудования… Уже с первых дней существования предприятия, помимо работ непосредственно по технологии ГИС, велись значительные работы по созданию и применению стекла, керамики, полимеров, клеев, изоляционных материалов, гальванических процессов, сварки, пайки, получению прецизионного инструмента (штампов, пресс-форм) химической фрезеровки, многослойных полимерных и керамических плат и многим другим процессам, необходимым в перспективах развития техники …”
Занятие 16.09.2010
правитьЗадание №3.
З.1.перевод 2-х чисел из 8-ой СС в 10-ую:
7456 → 3886
2403 → 1283
З.2.перевод полученных чисел из 10-ой СС в 2-ую:
3886 → 111100101110
1283 → 10100000011
З.3.сложение 2-х получившихся чисел:
111100101110
+ 10100000011
------------
= 1010000110001
З.4перемножение этих же чисел:
111100101110
*10100000011
-----------
=1001000001001110001010
З.5.вычитание 2-х чисел в 2-ой СС:
111100101110
- 10100000011
------------
=101000101011
З.6.деление 2-х чисел в 8-ой СС:
7456/2403 = 3,1776
Занятие 22.09.2010
править
Шаблон:Задание №4
Машинные коды.
Задание:
1.Взять две пары десятичных двузначных целых числа: А, В, С, D. (Варианты по списку)
2.Вычислить (А-В)ок, (В-А)дк, (С-D)ок, (D-C)дк.
(А-В)ок:
А=+26
В=-58
[А(2)]ок=0|11010
[В(2)]ок=1|000101
(А-В)ок=[А+(-В)]ок=1|100000
(В-А)дк:
А=-26
В=+58
[А(2)]дк=1|100101
[В(2)]дк=0|111010
(В-А)дк=[В+(-А)]дк=0|100000
(С-D)ок:
C=+63
D=-77
[C(2)]ок=0|111111
[D(2)]ок=1|0110010
(С-D)ок=(C+(-D))ок=1|1110001
(D-C)дк:
C=-63
D=+77
[C(2)]ок=1|1000000
[D(2)]ок=0|1001101
(D-С)ок=(D=(-С))ок=0|1110001
--KushhanashhovIA 08:41, 22 сентября 2010 (UTC)
Занятие 20.10.2010
править
Шаблон:Задание №6
№1:
- 2И-НЕ
- реализован на 4-х полевых транзисторах
| A | B | Y |
|---|---|---|
| 0 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 0 |
№2
- 2ИЛИ-НЕ
- реализован на 4-х полевых транзисторах
| A | B | Y |
|---|---|---|
| 0 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 0 |
| 1 | 0 | 0 |
| 1 | 1 | 0 |
№3
- ИЛИ
- реализован на 4-х полевых транзисторах и 1 инверторе
| A | B | Y |
|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 |
| 0 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 0 |
№4
- асинхронный RS-триггер
- реализован на 8-х полевых транзисторах
| S | R | Q | Q~ |
|---|---|---|---|
| 0 | 1 | 1 | 0 |
| 1 | 0 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 0 | 1 |
| 0 | 0 | 1 | 1 |
№5
- Инвертор
- биполярный транзистор
H→L
L→H
№6
- 3И-НЕ
- Реализован на 3-х биполярных транзисторах npn
| A | B | C | Y |
|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 | 1 |
| 0 | 0 | 1 | 1 |
| 0 | 1 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 0 | 1 |
| 1 | 0 | 1 | 1 |
| 1 | 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 1 | 0 |
№7
-3И-НЕ
- на эл.DTL,2 резистора
| A | B | C | Y |
|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 | 1 |
| 0 | 0 | 1 | 1 |
| 0 | 1 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 0 | 1 |
| 1 | 0 | 1 | 1 |
| 1 | 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 1 | 0 |
№8
-2И-НЕ
- на эл. TTL,2 резистора
| A | B | Y |
|---|---|---|
| 0 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 0 |
№9
-2ИЛИ-НЕ
-Полевой транзистор,4 резистора
| A | B | Y |
|---|---|---|
| 0 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 0 |
| 1 | 0 | 0 |
| 1 | 1 | 0 |
№10
-Асинхронный RS-триггер
-полевой тпанзистор
| S | R | Q | Q~ |
|---|---|---|---|
| 0 | 1 | 1 | 0 |
| 1 | 0 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 0 | 1 |
| 0 | 0 | 1 | 1 |
№11
-Синхронный RS-триггер
-Биполярный транзистор
| С | S | R | Q | Q~ |
|---|---|---|---|---|
| 0 | * | * | 0 | 0 |
| 0 | * | * | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 1 | 0 | 0 | 1 | 0 |
| 1 | 0 | 1 | 0 | 0 |
| 1 | 0 | 1 | 1 | 0 |
| 1 | 1 | 0 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |
| 1 | 1 | 1 | 0 | - |
| 1 | 1 | 1 | 1 | - |
№12
-D-триггер
-Биполярный транзистор
| S | R | C | D | Q | Q~ |
|---|---|---|---|---|---|
| 0 | 1 | * | * | 1 | 0 |
| 1 | 0 | * | * | 0 | 1 |
| 0 | 0 | * | * | 1 | 1 |
| 1 | 1 | 0/1 | 1 | 0/1 | 1/0 |
| 1 | 1 | 0/1 | 0 | 1/0 | 0/1 |
№13
-JK-триггер
-Полярный триггер,1 инвертор
| S | R | C | J | K | Q | Q~ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 0 | 1 | * | * | * | 1 | 0 |
| 1 | 0 | * | * | * | 0 | 1 |
| 0 | 0 | * | * | * | 1 | 1 |
| 1 | 1 | 1/0 | 1 | 0 | 0/1 | 1/0 |
| 1 | 1 | 1/0 | 0 | 1 | 1/0 | 0/1 |
| 1 | 1 | 1/0 | 1 | 1 | 0/1 | 1/0 |
| 1 | 1 | 1/0 | 0 | 0 | 1/1 | 0/0 |
Занятие 25.11.2010
править
Задание №10
править
Сквозная.БИ,без учета бита записи
| 00 | 211042 | 211042 | 211042 | 211042 | 320001 | 335001 | 335001 | 335001 | 000000 | 000000 | 000000 |
| 01 | 000000 | 241054 | 241054 | 222016 | 222016 | 222016 | 100011 | 100011 | 100011 | 000000 | 000000 |
| 02 | 000000 | 000000 | 220016 | 100012 | 100012 | 100012 | 100012 | 000000 | 000000 | 000000 | 000000 |
| 03 | 000000 | 000000 | 100012 | 100012 | 100012 | 100012 | 060001 | 060001 | 060001 | 060001 | 000000 |
Обратная.БИ,с учетом бит записи.
| 00 | 211042 | 211042 | 211042 | 211042 | 320001 | 320001 | 100011 | 100011 | 100011 | 100011 | 000000 |
| 01 | 000000 | 241054 | 241054 | 222016 | 222016 | 222016 | 060001 | 060001 | 060001 | 000000 | 000000 |
| 02 | 000000 | 000000 | 220016 | 100012 | 100012 | 100012 | 100012 | 100012 | 000000 | 000000 | 000000 |
| 03 | 000000 | 000000 | 100012 | 100012 | 100012 | 335001 | 335001 | 000000 | 000000 | 000000 | 000000 |
23.12.10
правитьПрактическая работа №12
На 4 шаге флаг последовательного ввода сменяется на состояние "1" тем самым открывая доступ к записи флага готовности Е=1, всего 8 шагов.На 7 и 8 шаге заполняется буфер клавиатуры. --KushhanashhovIA 07:15, 23 декабря 2010 (UTC)
ЗАНЯТИЕ №13
править| Команда | RD 4 | ADD #15 | WR 13 | WR @13 | JMP 001 |
|---|---|---|---|---|---|
| КОД | 210004 | 231015 | 220013 | 222013 | 100001 |